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常温下制备高质量六方氮化硼(HBN)获进展
2020年04月26日 发布 分类:行业要闻 点击量:1026
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最近,包括德国、法国、美国的多家高校和研究院所的研究人员共同报道了常压下制备高质量单同位素六方氮化硼(HBN)晶体的研究进展,而这是石墨烯基器件开发的利好消息。

 

石墨烯对周围环境极为敏感,因此用作器件常常用HBN进行封装。因此,高质量HBN的量产是石墨烯器件规模化生产的重要条件。

据报道,大气压下生长HBN晶体的方法是由美国堪萨斯州立大学James Edgar领导的研究小组开发的,经过德国亚琛大学石墨烯研究人员Christoph Stampfe确认,这些六方氮化硼在石墨烯器件上应用所表现出来的性能基本相当于日本筑波大学高温高压条件下制备的超纯氮化硼,甚至某方面更好。该方法还可以同时进行同位素含量控制。法国ONERA-CNRS进行的发光测试验得出了相同的结论。

论文信息:Excellent electronic transport in heterostructures of graphene and monoisotopic boron-nitride grown at atmospheric pressure.(在大气压下生长的石墨烯和单同位素氮化硼异质结构中具有优异的电子输运特性),2020年,DOI:10.1088/2053-1583/ab89e5。

粉体圈 编译 YUXI

 


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