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天科合达近10亿项目开工,加倍扩大碳化硅衬底产能
2020年08月20日 发布 分类:行业要闻 点击量:657
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据媒体报道,8月17日天科合达总投资近10亿的第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目,在北京大兴举行开工仪式。去年12月底,总投资5亿元,可实现年产4-8英寸碳化硅衬底6万片的江苏天科合达半导体有限公司项目投产。本次是继此之后天科合达再次加倍扩大产能。

碳化硅

今年7月15日,天科合达科创板IPO申请获得受理,拟募集5亿元,用于投资碳化硅衬底产业化基地建设项目。

据悉,此次天科合达自筹资金建设的用于碳化硅晶体衬底研发及生产的项目,总投资约9.5亿元人民币,新建一条400台/套碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线,项目建成后可年产碳化硅衬底12万片,计划于2022年年初完工投产。

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